Name: TK11S10N1L,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TK11S10N1L,LQTR-ND
Price: 7.22 CNY
Availability: InStock

TK11S10N1L,LQ
DigiKey 零件编号	264-TK11S10N1L,LQTR-ND - 卷带（TR） 264-TK11S10N1L,LQCT-ND - 剪切带（CT） 264-TK11S10N1L,LQDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TK11S10N1L,LQ
描述	MOSFET N-CH 100V 11A DPAK
原厂标准交货期	74 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 100 V 11A（Ta） 65W（Tc） DPAK+
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TK11S10N1L,LQ 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVIII-H
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	11A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	28 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	850 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	65W（Tc）
工作温度	175°C
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DPAK+
封装/外壳	TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
基本产品编号	TK11S10

TK11S10N1L,LQ